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FDG6332C-PG

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FET、MOSFET 阵列
onsemi

MOSFET N P-CH 20V SC70-6

参数名称参数值
Product StatusObsolete
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel Complementary
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C700mA (Ta), 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Power - Max300mW (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device PackageSC-88/SC70-6/SOT-363

新闻资讯

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