| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate, 4V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.8nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 10V |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
关于 SP8K3TB1
SP8K3TB1 是由 罗姆半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 30V 8SOP。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)。
SP8K3TB1 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（24mOhm @ 7A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（11.8nC @ 5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（600pF @ 10V）、Power - Max（2W (Ta)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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新闻资讯
罗姆半导体 FET、MOSFET 阵列 产品 SP8K3TB1
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