| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel, Common Drain |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 54A (Tc), 62A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 38A, 10V, 11mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 197nC @ 10V, 104nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V |
| Power - Max | 89W, 132W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | ISOPLUSi5-Pak™ |
| Supplier Device Package | ISOPLUS i4-PAC™ |
关于 FMP76-01T
FMP76-01T 是由 力特 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET N/P-CH。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel, Common Drain、Drain to Source Voltage (Vdss): 100V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc), 62A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 38A, 10V, 11mOhm @ 25A, 10V。
FMP76-01T 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（197nC @ 10V, 104nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V）、Power - Max（89W, 132W）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 力特：力特产品在利用电能的应用中是至关重要的组件，从消费电子产品到车辆和工业设施。他们提供业界最广泛和最深入的电路保护产品组合，同时在电源控制和传感领域不断扩展。作为其加速有机增长和战略收购的企业战略的一部分，他们正在扩展到相邻市场。这些市场包括功率半导体、重型开关、磁性、光学、机电和温度传感器；以及提供安全控制和分配电能的产品。
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FMP76-01T 是由 力特 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
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