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EFC3C001NUZTCG

¥0.79
FET、MOSFET 阵列
onsemi

MOSFET 2 N-CHANNEL 4WLCSP

参数名称参数值
Product StatusObsolete
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Power - Max1.6W
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case4-XFBGA, WLCSP
Supplier Device Package4-WLCSP (1.26x1.26)

新闻资讯

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