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NTMFD4C85NT1G

¥16.70
FET、MOSFET 阵列
onsemi

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

参数名称参数值
Product StatusObsolete
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15.4A, 29.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1960pF @ 15V
Power - Max1.13W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-PowerTDFN
Supplier Device Package8-DFN (5x6)

新闻资讯

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