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FDMD8900

¥7.70
FET、MOSFET 阵列
onsemi

MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER

参数名称参数值
Product StatusObsolete
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19A, 17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2605pF @ 15V
Power - Max2.1W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case12-PowerWDFN
Supplier Device Package12-Power3.3x5

新闻资讯

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