| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.7A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 864pF @ 25V |
| Power - Max | 62.5W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package | PowerFlat™ (5x6) |
关于 STL13DP10F6
STL13DP10F6 是由 意法半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2P-CH 100V 13A PWRFLAT56。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 P-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 100V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A。
STL13DP10F6 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（180mOhm @ 1.7A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（16.5nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（864pF @ 25V）、Power - Max（62.5W） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 意法半导体：意法半导体是一家全球独立的半导体公司，是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合以及战略合作伙伴关系，使其在系统级芯片（SoC）技术的前沿占据领先地位，其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。
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新闻资讯
意法半导体 FET、MOSFET 阵列 产品 STL13DP10F6
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