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FDMS7606

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FET、MOSFET 阵列
onsemi

MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/12A PWR56

参数名称参数值
Product StatusObsolete
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.5A, 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.4mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 15V
Power - Max1W
Operating Temperature-
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-PowerWDFN
Supplier Device PackagePower56

新闻资讯

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