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VQ3001P-E3

¥0.00
FET、MOSFET 阵列

MOSFET 2N/2P-CH 30V 14DIP

参数名称参数值
Product StatusObsolete
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N and 2 P-Channel
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C850mA, 600mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1Ohm @ 1A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds110pF @ 15V
Power - Max2W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type-
Package/ Case-
Supplier Device Package-

新闻资讯

Vishay/ Siliconix FET、MOSFET 阵列 产品 VQ3001P-E3

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