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ECH8651R-TL-HX

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FET、MOSFET 阵列
onsemi

MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8

参数名称参数值
Product StatusObsolete
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Power - Max1.5W
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package8-ECH

新闻资讯

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