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FDMS3604AS

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FET、MOSFET 阵列
onsemi

MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56

参数名称参数值
Product StatusObsolete
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A, 23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1695pF @ 15V
Power - Max1W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-PowerTDFN
Supplier Device PackagePower56

新闻资讯

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