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SI4276DY-T1-E3

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FET、MOSFET 阵列

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs15.3mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1000pF @ 15V
Power - Max3.6W, 2.8W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC

新闻资讯

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