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SI6975DQ-T1-E3

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FET、MOSFET 阵列

MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id450mV @ 5mA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Power - Max830mW
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package8-TSSOP

新闻资讯

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