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BSD840N L6327

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FET、MOSFET 阵列

MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363

参数名称参数值
Product StatusObsolete
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C880mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 880mA, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id750mV @ 1.6µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.26nC @ 2.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds78pF @ 10V
Power - Max500mW
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device PackagePG-SOT363-PO

新闻资讯

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