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SIB914DK-T1-GE3

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FET、MOSFET 阵列

MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6

参数名称参数值
Product StatusObsolete
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs113mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.6nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds125pF @ 4V
Power - Max3.1W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CasePowerPAK® SC-75-6L Dual
Supplier Device PackagePowerPAK® SC-75-6L Dual

新闻资讯

Vishay/ Siliconix FET、MOSFET 阵列 产品 SIB914DK-T1-GE3

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