| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Not For New Designs |
| Technology | - |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 15V |
| Power - Max | 2.8W |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
关于 SH8KA2GZETB
SH8KA2GZETB 是由 罗姆半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET。该器件的核心参数包括：Product Status: Not For New Designs、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V、Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA。
SH8KA2GZETB 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（8nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（330pF @ 15V）、Power - Max（2.8W）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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新闻资讯
罗姆半导体 FET、MOSFET 阵列 产品 SH8KA2GZETB
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