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CSD85312Q3E

¥8.86
FET、MOSFET 阵列

MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) Common Source
FET FeatureLogic Level Gate, 5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.4mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2390pF @ 10V
Power - Max2.5W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-PowerVDFN
Supplier Device Package8-VSON (3.3x3.3)

新闻资讯

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