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CSD87588N

¥9.86
FET、MOSFET 阵列
德州仪器

MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds736pF @ 15V
Power - Max6W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case5-XFLGA
Supplier Device Package5-PTAB (3x2.5)

关于 CSD87588N

CSD87588N 是由 德州仪器 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A。

CSD87588N 共有 15 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(9.6mOhm @ 15A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(1.9V @ 250µA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(4.1nC @ 4.5V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(736pF @ 15V)、Power - Max(6W) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。

关于 德州仪器:德州仪器公司(Texas Instruments Incorporated,简称TI)是一家全球领先的半导体设计和制造企业,专注于开发模拟集成电路和嵌入式处理器。通过汇聚全球最杰出的人才,TI不断创造出塑造科技未来的创新成果。TI正助力超过10万名客户在当下变革未来。

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CSD87588N 是什么类型的电子元器件?

CSD87588N 是由 德州仪器 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。

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新闻资讯

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