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SIZ704DT-T1-GE3

¥8.14
FET、MOSFET 阵列

MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A, 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds435pF @ 15V
Power - Max20W, 30W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case6-PowerPair™
Supplier Device Package6-PowerPair™

新闻资讯

Vishay/ Siliconix FET、MOSFET 阵列 产品 SIZ704DT-T1-GE3

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