| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta), 2A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 10V, 750pF @ 10V |
| Power - Max | 1.1W (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Supplier Device Package | TSMT8 |
关于 QS8M31TR
QS8M31TR 是由 罗姆半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V。
QS8M31TR 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（270pF @ 10V, 750pF @ 10V）、Power - Max（1.1W (Ta)）、Operating Temperature（150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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新闻资讯
罗姆半导体 FET、MOSFET 阵列 产品 QS8M31TR
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