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UT6K3TCR

¥5.54
FET、MOSFET 阵列

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

参数名称参数值
Product StatusActive
Technology-
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds450pF @ 15V
Power - Max2W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case6-PowerUDFN
Supplier Device PackageHUML2020L8

新闻资讯

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 阵列 产品 UT6K3TCR

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