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CSD75207W15

¥4.61
FET、MOSFET 阵列

MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 P-Channel (Dual) Common Source
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs162mOhm @ 1A, 1.8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds595pF @ 10V
Power - Max700mW
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case9-UFBGA, DSBGA
Supplier Device Package9-DSBGA

新闻资讯

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