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QH8KA4TCR

¥7.70
FET、MOSFET 阵列

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

参数名称参数值
Product StatusActive
Technology-
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 10V
Power - Max1.5W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SMD, Flat Lead
Supplier Device PackageTSMT8

新闻资讯

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 阵列 产品 QH8KA4TCR

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