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DMN1029UFDB-7

¥3.31
FET、MOSFET 阵列

MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.6nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds914pF @ 6V
Power - Max1.4W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case6-UDFN Exposed Pad
Supplier Device PackageU-DFN2020-6 (Type B)

新闻资讯

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