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FDC6401N

¥4.90
FET、MOSFET 阵列
onsemi

MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds324pF @ 10V
Power - Max700mW
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device PackageSuperSOT™-6

新闻资讯

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