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CSD13202Q2T

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单 FET、MOSFET

PROTOTYPE

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.3mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds997 pF @ 6 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.7W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package6-WSON (2x2)
Package/ Case6-WDFN Exposed Pad

新闻资讯

Texas Instruments 单 FET、MOSFET 产品 CSD13202Q2T

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