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BSS138-F169

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单 FET、MOSFET
onsemi

50V N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANC

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C220mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 220mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds27 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)360mW (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageSOT-23-3 (TO-236)
Package/ CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

新闻资讯

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