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SI1035X-T1-E3

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FET、MOSFET 阵列

MOSFET N/P-CH 20V SOT563F

参数名称参数值
Product StatusObsolete
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C180mA, 145mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id400mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Power - Max250mW
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseSOT-563, SOT-666
Supplier Device PackageSC-89 (SOT-563F)

新闻资讯

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