| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 210A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 430nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | V2-PAK |
| Supplier Device Package | V2-PAK |
关于 VWM200-01P
VWM200-01P 是由 力特 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 6N-CH 100V 210A V2。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 100V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 100A, 10V。
VWM200-01P 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 2mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（430nC @ 10V）、Operating Temperature（-40°C ~ 175°C (TJ)）、Mounting Type（Chassis Mount）、Package / Case（V2-PAK） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 力特：力特产品在利用电能的应用中是至关重要的组件，从消费电子产品到车辆和工业设施。他们提供业界最广泛和最深入的电路保护产品组合，同时在电源控制和传感领域不断扩展。作为其加速有机增长和战略收购的企业战略的一部分，他们正在扩展到相邻市场。这些市场包括功率半导体、重型开关、磁性、光学、机电和温度传感器；以及提供安全控制和分配电能的产品。
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VWM200-01P 是由 力特 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
本页面提供 VWM200-01P 规格书（Datasheet）的在线查看和下载。点击上方「规格书」标签页即可查阅完整的技术参数、引脚定义和应用电路等详细资料，方便您选型参考。
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新闻资讯
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