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FDR8308P

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FET、MOSFET 阵列
onsemi

MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8

参数名称参数值
Product StatusObsolete
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1240pF @ 10V
Power - Max800mW
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Supplier Device PackageSuperSOT™-8

新闻资讯

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