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FDZ2553NZ

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FET、MOSFET 阵列
onsemi

MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA

参数名称参数值
Product StatusObsolete
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 9.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1240pF @ 10V
Power - Max2.1W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case18-WFBGA
Supplier Device Package18-BGA (2.5x4)

新闻资讯

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