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NTHD2102PT1

¥1.01
FET、MOSFET 阵列
onsemi

MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET

参数名称参数值
Product StatusObsolete
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs58mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 2.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds715pF @ 6.4V
Power - Max1.1W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SMD, Flat Lead
Supplier Device PackageChipFET™

新闻资讯

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