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IRF5810

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FET、MOSFET 阵列

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP

参数名称参数值
Product StatusObsolete
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds650pF @ 16V
Power - Max960mW
Operating Temperature-
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package6-TSOP

新闻资讯

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