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NDS8852H

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FET、MOSFET 阵列
onsemi

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

参数名称参数值
Product StatusObsolete
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.3A, 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 15V
Power - Max1W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC

新闻资讯

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