| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A, 5.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 857pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
关于 STS8C5H30L
STS8C5H30L 是由 意法半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 5.4A。
STS8C5H30L 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（22mOhm @ 4A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（10nC @ 5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（857pF @ 25V）、Power - Max（2W） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 意法半导体：意法半导体是一家全球独立的半导体公司，是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合以及战略合作伙伴关系，使其在系统级芯片（SoC）技术的前沿占据领先地位，其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。
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新闻资讯
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