参数名称 | 参数值 |
---|---|
Product Status | Active |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Configuration | N and P-Channel |
FET Feature | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A, 2.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66mOhm @ 3.4A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 10V |
Power - Max | 600mW |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Package/ Case | 6-UFDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package | 6-MicroFET (1.6x1.6) |
新闻资讯
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