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FDME1034CZT

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FET、MOSFET 阵列

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.8A, 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs66mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 10V
Power - Max600mW
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case6-UFDFN Exposed Pad
Supplier Device Package6-MicroFET (1.6x1.6)

新闻资讯

Fairchild Semiconductor FET、MOSFET 阵列 产品 FDME1034CZT

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