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FDS8958A

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FET、MOSFET 阵列

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A, 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds575pF @ 15V
Power - Max900mW
Operating Temperature-
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC

新闻资讯

Fairchild Semiconductor FET、MOSFET 阵列 产品 FDS8958A

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