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G06N06S2

¥1.94
FET、MOSFET 阵列

N+N 60V,6A,RD<25M@10V,VTH1.2V~2.

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel
FET FeatureStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1600pF @ 30V
Power - Max2.1W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOP

新闻资讯

Goford Semiconductor FET、MOSFET 阵列 产品 G06N06S2

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