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6703

¥0.56
FET、MOSFET 阵列

N/P 20V,2.9A/-3A,RD(MAX)<45M/110

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration-
FET FeatureStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A (Ta), 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs59mOhm @ 2.5A, 2.5V, 110mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 10V, 405pF @ 10V
Power - Max1.1W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseSOT-23-6
Supplier Device PackageSOT-23-6L

新闻资讯

Goford Semiconductor FET、MOSFET 阵列 产品 6703

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