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APTM20DUM08TG

¥1160.28
FET、MOSFET 阵列

MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C208A
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 104A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs280nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds14400pF @ 25V
Power - Max781W
Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount
Package/ CaseSP4
Supplier Device PackageSP4

新闻资讯

Microchip Technology FET、MOSFET 阵列 产品 APTM20DUM08TG

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