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DMNH6065SPDW-13

¥2.76
FET、MOSFET 阵列

MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds466pF @ 25V
Power - Max2.4W (Ta), 68W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount, Wettable Flank
Package/ Case8-PowerTDFN
Supplier Device PackagePowerDI5060-8 (Type R)

新闻资讯

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