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SI8902AEDB-T2-E1

¥2.16
FET、MOSFET 阵列

N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Power - Max5.7W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case6-UFBGA
Supplier Device Package6-Micro Foot™ (1.5x1)

新闻资讯

Vishay/ Siliconix FET、MOSFET 阵列 产品 SI8902AEDB-T2-E1

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