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DMG1016VQ-13

¥1.02
FET、MOSFET 阵列

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C870mA, 640mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.74nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds60.67pF @ 16V
Power - Max530mW
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseSOT-563, SOT-666
Supplier Device PackageSOT-563

新闻资讯

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