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DMN2004VK-7B

¥0.49
FET、MOSFET 阵列

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150pF @ 16V
Power - Max250mW (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseSOT-563, SOT-666
Supplier Device PackageSOT-563

新闻资讯

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