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DMN61D9UDWQ-13

¥0.28
FET、MOSFET 阵列

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C318mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds39pF @ 30V
Power - Max370mW (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device PackageSOT-363

新闻资讯

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