
| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 6 N-Channel |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 379A (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.45mOhm @ 360A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 40mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 944nC @ 18V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 28070pF @ 800V |
| Power - Max | 704W (Tj) |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | ACEPACK |
关于 ADP360120W3
ADP360120W3 是由 意法半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。AUTOMOTIVE-GRADE ACEPACK DRIVE P。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 6 N-Channel、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 379A (Tj)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.45mOhm @ 360A, 18V。
ADP360120W3 共有 14 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id(4.4V @ 40mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(944nC @ 18V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(28070pF @ 800V)、Power - Max(704W (Tj))、Operating Temperature(-40°C ~ 175°C (TJ)) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 意法半导体:意法半导体是一家全球独立的半导体公司,是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合以及战略合作伙伴关系,使其在系统级芯片(SoC)技术的前沿占据领先地位,其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。
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新闻资讯
意法半导体 FET、MOSFET 阵列 产品 ADP360120W3
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