| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 P-Channel |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100pF @ 50V |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
关于 SH8JE5TB1
SH8JE5TB1 是由 罗姆半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。-100V 4.5A, DUAL PCH+PCH, SOP8,。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 P-Channel、FET Feature: Standard、Drain to Source Voltage (Vdss): 100V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)。
SH8JE5TB1 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（9.1mOhm @ 4.5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（52nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2100pF @ 50V）、Power - Max（2W (Ta)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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SH8JE5TB1 是由 罗姆半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
罗姆半导体 FET、MOSFET 阵列 产品 SH8JE5TB1
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