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IRFH4257DTRPBF

¥7.06
FET、MOSFET 阵列

IRFH4257 - HEXFET POWER MOSFET

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1321pF @ 13V
Power - Max25W, 28W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-PowerVDFN
Supplier Device PackageDual PQFN (5x4)

新闻资讯

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