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FDMC6890NZ

¥6.62
FET、MOSFET 阵列
onsemi

MOSFET 2N-CH 20V 4A POWER33

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs68mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds270pF @ 10V
Power - Max1.92W, 1.78W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case6-WDFN Exposed Pad
Supplier Device PackageMicroFET 3x3mm

新闻资讯

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