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SI9926DY

¥1.73
FET、MOSFET 阵列

N-CHANNEL POWER MOSFET

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds700pF @ 10V
Power - Max900mW (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC

新闻资讯

Fairchild Semiconductor FET、MOSFET 阵列 产品 SI9926DY

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